FP40R12KT3BOSA1 y sus componentes
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Descripción:
El módulo IGBT 1200V 55A 210W
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
55 A
Estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
En bruto
Serie:
-
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 40A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C
Corriente - límite del colector (máximo):
5 mA
Tipo de IGBT:
-
Potencia - máximo:
Las demás:
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
2.5 nF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
FP40R12
Introducción
Módulo IGBT Inversor de tres fases 1200 V 55 A 210 W Módulo de montaje del chasis
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: