Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
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Descripción:
Modulo IGBT 1200V 1050W
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - límite del colector (máximo):
5 mA
Estado del producto:
No para nuevos diseños
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
la bandeja
Serie:
C. Las
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 200A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 125 °C
Potencia - máximo:
1050 W
Tipo de IGBT:
Parada en el campo de trincheras
Envase / estuche:
Módulo
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
14 nF @ 25 V
Configuración:
2 Independiente
El termistor NTC:
No es
Número del producto de base:
FF200R12
Introducción
Modulo IGBT Parada de campo de zanja 2 Modulo independiente de montaje de chasis de 1200 V 1050 W
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: