FP10R12W1T4B11BOMA1
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Descripción:
Se aplicará el método IGBT MOD 1200V 20A 105W.
Categoría:
Dispositivos de semiconductor discretos
En existencia:
En stock
Forma de pago:
Las condiciones de los productos incluidos en el presente Reglamento son las siguientes:
Método de envío:
Las condiciones de los servicios de transporte aéreo y de transporte aéreo
Especificaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores
Transistores
Los IGBT
Módulos IGBT
Corriente - colector (Ic) (máximo):
20 A
Estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura del chasis
Paquete:
la bandeja
Serie:
EconoPIMTM 3
Envase / estuche:
Módulo
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 10A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):
Las demás:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Módulo
El Sr.:
Tecnologías Infineon
Temperatura de funcionamiento:
-40 °C ~ 150 °C
Corriente - límite del colector (máximo):
1 mA
Tipo de IGBT:
-
Potencia - máximo:
105 W
Ingreso:
Estándar
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:
600 pF @ 25 V
Configuración:
Inversor de tres fases
El termistor NTC:
- ¿ Qué?
Número del producto de base:
FP10R12
Introducción
Módulo IGBT Inversor de tres fases 1200 V 20 A 105 W Módulo de montaje del chasis
Las etiquetas:
Dispositivos de semiconductor discretos
Envíe el RFQ
Las existencias:
In Stock
Cuota de producción: