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Gestión ICs del poder
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Las existencias | Cuadros de trabajo | |
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 50% del valor de las emisiones de CO2 del producto, el valor de las emisiones de CO2 será igual al valor de las emisiones de CO2. |
PUERTA DRVR 16SOIC DE DGTL ISO 2.5KV
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Laboratorios del silicio
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ACNW3190-500E |
El conductor de la puerta de entrada de 5KV 1CH
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Broadcom Limited (en inglés)
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Se aplicará el código FOD3180S. |
El motor de la puerta de entrada de 5KV 1CH
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Los Estados miembros deberán establecer un sistema de gestión de los recursos humanos. |
La dirección de dirección de la DGTL ISO 2.5KV Gate DRVR 13VLGA
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Las acciones de Texas Instruments
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HCPL-3150: el contenido de la sustancia |
OptoISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
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Broadcom Limited (en inglés)
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ADUM4120-1ARIZ y sus derivados |
El número de unidad de control de las emisiones de gases de efecto invernadero será el siguiente:
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ADI/Analog Devices Inc.
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ADUM6132ARWZ |
PUERTA DRVR 16SOIC DE DGTL ISO 3.75KV
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ADI/Analog Devices Inc.
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UCC21521ADW |
PUERTA DRVR 16SOIC DE DGTL ISO 5.7KV
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Las acciones de Texas Instruments
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Se trata de un sistema de control de la calidad. |
La dirección de la dirección de la dirección ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO
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STMicroelectrónica
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ADUM4223CRWZ |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 5KV 2CH
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ADI/Analog Devices Inc.
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Las condiciones de los certificados deben ser las siguientes: |
El conductor de la puerta de entrada es de 5KV 1CH
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Broadcom Limited (en inglés)
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ADUM7234BRZ-RL7 |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 1KV 2CH
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ADI/Analog Devices Inc.
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SI82394AD-IS |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 5KV 2CH
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Laboratorios del silicio
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ADUM3123BRZ |
La dirección de la DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
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ADI/Analog Devices Inc.
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ISO5451DW |
PUERTA DRVR 16SOIC DE DGTL ISO 5.7KV
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Las acciones de Texas Instruments
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ADUM4224WBRWZ |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 5KV 2CH
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ADI/Analog Devices Inc.
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ISO5500DW |
El número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad
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Las acciones de Texas Instruments
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SI82396AD-IS |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 5KV 2CH
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Laboratorios del silicio
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ADUM3223WBRZ |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 3KV 2CH
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ADI/Analog Devices Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
OptoISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 8SO y también
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Broadcom Limited (en inglés)
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TLP5772 ((TP,E) |
El conductor de la puerta de entrada de 5KV 1CH
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Semiconductor de Toshiba
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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
OptoISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 6SO y también
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Broadcom Limited (en inglés)
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Los datos de las pruebas de seguridad deben estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
OptoISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 6SO y también
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Broadcom Limited (en inglés)
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Si el valor de las emisiones de CO2 es superior al 50% del valor de las emisiones de CO2 de la Unión, el valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de la Unión será igual al valor de las emisiones de CO2 de la Unión. |
CONDUCTOR 8SOIC DE LA PUERTA DE DGTL ISO 2.5KV
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Laboratorios del silicio
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
OptoISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 8SO y también
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Broadcom Limited (en inglés)
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Se trata de una prueba de la eficacia de las medidas de control. |
OptoISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 6SO y también
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Broadcom Limited (en inglés)
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SI8235BB-D-IMR |
CONDUCTOR 14LGA DE LA PUERTA DE DGTL ISO 2.5KV
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Laboratorios del silicio
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior al 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual al 0,9%. |
Los conductores de puertas 4A, 2.5 KV con doble entrada HS/LS conductor CMTI alto
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Laboratorios del silicio
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SI8237BD-D-IS |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 5KV 2CH
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Laboratorios del silicio
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Las condiciones de los productos de la categoría 1 se establecen en el anexo I del presente Reglamento. |
El sistema de control de velocidad de la puerta de acceso de OPTOISO 3.75KV 8DIP
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Broadcom Limited (en inglés)
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SI82394CB4-IS1 |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 2.5KV
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Laboratorios del silicio
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SI82395BB-IS1 |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 2.5KV
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Laboratorios del silicio
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SI82395CB-IS1 |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 2.5KV
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Laboratorios del silicio
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ADUM7223ACCZ-RL7 |
CONDUCTOR 13LGA DE LA PUERTA DE DGTL ISO 2.5KV
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ADI/Analog Devices Inc.
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Se aplicará el procedimiento siguiente: |
5A/5A, 3-KVRMS de un solo canal
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Las acciones de Texas Instruments
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UCC5390ECD |
UCC5390ECD
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Las acciones de Texas Instruments
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SI82394AD4-IS |
PUERTA DVR 16SOIC DE DGTL ISO 5KV 2CH
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Laboratorios del silicio
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en el formulario de solicitud. |
10A/10A aislado de un solo canal
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Las acciones de Texas Instruments
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SI8238BD-D-IS3 |
El conductor de la puerta doble aislada, 8 mm
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Laboratorios del silicio
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SID1112K |
DGTL ISO GATE DRVR (en inglés)
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Integraciones del poder
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Las condiciones de los certificados deben ser las siguientes: |
OptoISO 3.75KV 1CH GATE DVR 8DIP
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Broadcom Limited (en inglés)
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Los datos de los datos de los Estados miembros deben estar disponibles en la base de datos. |
El conductor de la puerta de entrada de 5KV 1CH
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Broadcom Limited (en inglés)
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ACNU-3410-000E |
El conductor de la puerta de entrada de 5KV 1CH
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Broadcom Limited (en inglés)
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ADUM4120BRIZ |
El número de unidad de control de las emisiones de gases de efecto invernadero será el siguiente:
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ADI/Analog Devices Inc.
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Se trata de un producto de fabricación en el que se utiliza la misma sustancia. |
La dirección de la DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
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ADI/Analog Devices Inc.
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UCC20520DW |
PUERTA DRVR 16SOIC DE DGTL ISO 5.7KV
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Las acciones de Texas Instruments
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SID1182KQ: el nombre de la persona a la que se refiere el documento |
8A, aislamiento reforzado de 1200 V,
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Integraciones del poder
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SI8261BAC-C-ISR |
PUERTA DRVR 8SOIC DE DGTL ISO 3.75KV
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Laboratorios del silicio
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Si el valor de las emisiones de CO2 es inferior a 0,9%, el valor de las emisiones de CO2 será igual a 0,9%. |
CONDUCTOR 8SOIC DE LA PUERTA DE DGTL ISO 2.5KV
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Laboratorios del silicio
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Los datos de las pruebas de seguridad deberán estar disponibles en el sitio web de la autoridad competente. |
La dirección de la DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 8SOIC
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Laboratorios del silicio
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